Адміністрація вирішила продати даний сайт. За детальною інформацією звертайтесь за адресою: rozrahu@gmail.com

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2001
Тип роботи:
Методичні вказівки до лабораторної роботи
Предмет:
Електроніка та мікропроцесорна техніка

Частина тексту файла

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА«  ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА Методичні вказівки до лабораторної роботи №15 з курсу “Електротехніка електроніка та мікропроцесорна техніка" для студентів спеціальностей: 7.090207 "Робототехнiчнi системи та комплекси", 7.090223 "Машини та технологія пакування", 7.090222 "Обладнання легкої промисловості та побутового обслуговування" Затверджено на засіданні кафедри автоматизації та комплексної механізації машинобудівної промисловості Протокол № 6 від __ _________ 2001р. Львів - 2001 Зняття характеристик і визначення параметрів польового транзистора. Методичні вказівки та інструкція до лабораторної роботи з курсу “Електротехніка електроніка та мікропроцесорна техніка" для студентів спеціальностей: 7.090207 “Робототехнiчнi системи та комплекси”, 7.090223 “Машини та технологія пакування”, 7.090222 “Обладнання легкої промисловості та побутового обслуговування” /Укл. Зелінський І.Д., Таянов С.А. - Львів: Національний університет "Львівська політехніка", 2001. -12с. Укладачі:  к.т.н., доцент каф. АКМ Зелінський І.Д., к.т.н., доцент каф. АКМ Таянов С.А.   Відповідальний за випуск: зав. каф. АКМ доцент, к.т.н. Гаврильченко О.В. Рецензенти: к.т.н., доцент каф. АКМ Савчин О.М. д.т.н., доцент каф. “Телекомунікації” Тимченко О.В. ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА Мета роботи: вивчення принципу дії, зняття характеристик і визначення основних параметрів польового транзистора з р-n-переходом. І. ПОПЕРЕДНЯ ПІДГОТОВКА ДО РОБОТИ Теоретичні відомості Польовим називають транзистор, в якому струм через канал керується полем, що виникає при прикладанні напруги між затвором і витоком. Польові транзистори в порівнянні з біполярними мають великі вхідний і вихідний опори і меншу крутість прохідної характеристики. Робота польових транзисторів заснована на русі основних носіїв заряду в напівпровіднику. Керування струмом у вихідному ланцюзі здійснюється керуючою напругою, тому їхні підсилювальні властивості, як і електронних ламп, характеризуються крутістю.  Рис. 1. Будова польового транзистора: а - з р-n-переходом; б- з ізольованим затвором і вбудованим каналом; в - з ізольованим затвором і індукованим каналом. I Польові транзистори в залежності від способу виготовлення й електричних характеристик поділяються на дві групи: транзистори з p-n-переходом і з ізольованим затвором (МОП транзистори). Польовий транзистор з р-п-переходом складається з напівпровідникового стрижня (пластини з кремнію) з омічними виводами від кожного кінця, у якому методом дифузії утворений канал — найтонший шар з дірковою провідністю (рис. 1, а). По краях каналу також методом дифузії утворені більш масивні ділянки з дірковою провідністю. Таким чином, на поверхні каналу з протилежних сторін формується р-n-перехід, розташований паралельно напрямку струму. У відповідності з ГОСТ 15133-69 каналом польового транзистора називають область у напівпровіднику, у якій струм носіїв заряду регулюється зміною її поперечного переріза. Тип каналу (п чи р) залежить від електропровідності напівпровідника. Вивід, через який у канал втікають носії заряду (позитивний для p-каналу і негативний для n-каналу), називають витоком; протилежний вивід, через який з каналу витікають носії заряду, - стоком; третій вивід, до якого прикладається керуюча напруга, - затвором. При підключенні до витоку позитивної, а до стоку негативної напруги в каналі виникає електричний струм, якій створений рухом дірок від джерела до стоку, тобто основними носіями заряду (дірками в області з дірковою провідністю). У цьому полягає істотна відмінність польового транзистора від біполярного, у якого в утворенні колекторного струму беруть участь як електрони, так і дірки. Рух носіїв заряду вздовж електронно-діркового переходу (а не через переходи, як у біполярному транзисторі) є другою характерною рисою польового транзистора. Електричне поле, яке ...
Антиботан аватар за замовчуванням

01.01.1970 03:01

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Завантаження файлу

Якщо Ви маєте на своєму комп'ютері файли, пов'язані з навчанням( розрахункові, лабораторні, практичні, контрольні роботи та інше...), і Вам не шкода ними поділитись - то скористайтесь формою для завантаження файлу, попередньо заархівувавши все в архів .rar або .zip розміром до 100мб, і до нього невдовзі отримають доступ студенти всієї України! Ви отримаєте грошову винагороду в кінці місяця, якщо станете одним з трьох переможців!
Стань активним учасником руху antibotan!
Поділись актуальною інформацією,
і отримай привілеї у користуванні архівом! Детальніше

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

пропонує роботу

Admin

26.02.2019 12:38

Привіт усім учасникам нашого порталу! Хороші новини - з‘явилась можливість кожному заробити на своїх знаннях та вміннях. Тепер Ви можете продавати свої роботи на сайті заробляючи кошти, рейтинг і довіру користувачів. Потрібно завантажити роботу, вказати ціну і додати один інформативний скріншот з деякими частинами виконаних завдань. Навіть одна якісна і всім необхідна робота може продатися сотні разів. «Головою заробляти» продуктивніше ніж руками! :-)

Новини